شبیه‌سازی اثرات نوع آلایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود
نویسندگان
چکیده مقاله:
The aim of this article is apply modification to limited diffusion aggregation model. The method can simulate the doping type and current density on obtained structures forms within porous silicon growth. For doping type effect, the sticking coefficient parameter and for the current density effect, mean field parameter applied to limited diffusion aggregation. Simulation results showed that the sticking coefficient parameter influences pores thickness controlling. Meanwhile, the mean field parameter could control tree or rod characteristics of pores. Results on porous silicon growth simulation showed that the applied modifications accompany with these two parameters on structure simulation formation are consistence with experimental data of the samples.
منابع مشابه
شبیه سازی اثرات نوع آرایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود
متن کامل
شبیه سازی اثرات نوع آلایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود
هدف از این مقاله وارد کردن اصلاحاتی به مدل انبوهش پخش محدود می باشد که بتواند اثرات نوع آلایش و چگالی جریان را درشکل ساختارهای به دست آمده طی رشد سیلیکان متخلخل شبیه سازی کند. برای تأثیر نوع آلایش, ضریب چسبندگی و برای تأثیر چگالی جریان, پارامتر میدان متوسط را به مدل انبوهش پخش محدود اعمال کردیم. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که پارامتر ضریب چسبندگی در کنترل ضخامت خلل مؤثر است در حالی که پارامتر ...
متن کاملشبیه سازی اثرات نوع آرایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود
0
متن کاملارائه یک روش گالرکین ناپیوسته برای جریان های دوفازی در محیط متخلخل به وسیله محدود کننده شیب mlp اصلاح شده
در این تحقیق حل عددی جریان های دوفازی تراکم ناپذیر در محیط های متخلخل با استفاده از روش های مرتبه بالای پنالتی داخلی گالرکین ناپیوسته مورد توجه قرار گرفته است. در فرمولاسیون به کار رفته فشار و درجه اشباع فاز ترکننده (pw,sw) یه عنوان مجهولات اصلی، به همراه شرط مرزی ترکیبی (رابین) در نظر گرفته شده است. هدف از این مدل تعیین دقیق تر محل گرادیان های شدید ناشی از محل تماس دو فاز در محیط متخلخل ناهمگن...
متن کاملبررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل
Porous silicon (PS) layers come into existance as a result of electrochemical anodization on silicon. Although a great deal of research has been done on the formation and optical properties of this material, the exact mechanism involved is not well-understood yet. In this article, first, the optical properties of silicon and porous silicon are described. Then, previous research and the prop...
متن کاملاندازهگیری هیدروژن در عمق نمونۀ سیلیکان متخلخل به روش آشکارسازی ذرات پس‌زده از برخورد کشسان
Porous silicon (PS) samples are obtained by electrochemical anodization of Si wafers in HF+DMF solution. The hydrogen complex components are formed on the inner surface walls of porous silicon. In this work the depth profile of porous silicon is estimated by measurement of hydrogen content in the depth of the sample. Since the well-known ion beam analysis simulation programs are inappropriate f...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 8 شماره 4
صفحات 241- 248
تاریخ انتشار 2008-12
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
کلمات کلیدی برای این مقاله ارائه نشده است
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023